制造工艺的对晶片的尺寸精度、几何精度、表面洁净度以及表面微晶格结构提出很高要求。在工艺流程中只能采用一定厚度的晶片在工艺过程中传递、流片。封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度。这一工艺过程称之为晶片背面减薄工艺，对应装备就是晶圆减薄机?。下边我们一块来了解一下这款设备。

1.作用

后道制程阶段晶圆（正面已布好电路的硅片）在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄加工以降低封装贴装高度，减小芯片封装体积，改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及减小划片的加工量。背面磨削加工具有高效率、低成本的优点，目前已经取代传统的湿法刻蚀和离子刻蚀工艺成为主要的背面减薄技术。

2.设备工作步骤

晶圆减薄的具体步骤是把所要加工的晶圆粘接到减薄膜上然后把减薄膜及上面芯片利用真空吸附到多孔陶瓷承片台上，杯形金刚石砂轮工作面的内外圆舟中线调整到硅片的中心位置，硅片和砂轮绕各自的轴线回转，进行切进磨削。磨削包括粗磨、精磨和抛光三个阶段。

3.优势

设备解决了超精密磨削过程中,磨削系统低速进给的高可靠性、高刚性问题。采用模糊识别技术进行数据收集并通过闭环伺服控制技术,实现精密定位;实现系统纳米分辨率达到0.1um,提高了系统的传动刚度、抗振稳定性,满足低速平稳运行要求,获得优良的动态性能,满足超精密﹑微载荷磨削减薄要求。

近几年晶圆减薄机?设备将爆发式增长，设备的技术参数和工艺性能满足工艺线规模化生产要求性能指标达到同类产品国际先进水平。设备解决了晶圆磨削到一定程度后,搬运过程中会因空气阻力而产生断裂碎片问题,实现了晶圆传输过程高可靠性、高精度性,具有极大的推广应用价值。