“减薄机的工作原理是: 采用了晶圆自旋,磨轮系统以极低速进给方式磨削。具体步骤是把所要加工的晶圆粘接到减薄膜上,然后把减薄膜及上面芯片利用真空吸附到多孔陶瓷承片台上,杯形金刚石砂轮工作面的内外圆舟中线调整到硅片的中心位置,硅片和砂轮绕各自的轴线回转,进行切进磨削”。

它可以直立砂轮，可在线测试。在减薄机发展方面，在接受机构调研时表示，硅片制造、先进封装等会用到它，且随着芯片制造技术愈发先进，它将用的越来越多，比如在3D IC中晶圆的键合工艺，减薄是必要的工序。

１、硅片自旋转磨削法的特点：

（１） 可实现延性域磨削。在加工脆性材料时，当磨削深度小于某一临界值时，可以实现延性域磨削。通过大量试验表明，Ｓｉ材料的脆性一塑性转换临界值约为０．０６ｍ。进给速度厂控制在１０ｍ／ｍｉｎ，承片台转速取２００ｒ／ｍｉｎ，则每转切割深度可达到０．０５ｍ。对于自旋转磨削，由公式（１）可知，对给定的轴向进给速度，如果工作台的转速足够高，就可以实现极微小磨削深度。

（２）可实现高效磨削。由公式（１）可知，通过同时提高硅片转速和砂轮轴向进给速度，可以在保持与普通磨削同样的磨削深度情况下，达到较高的材料去除率，适用于大余量磨削。

（３）砂轮与硅片的接触长度、接触面积、切入角不变，磨削力恒定，加工状态稳定，可以避免硅片出现中凸和塌边现象。由ｒ上述优点，现在直径２００ｍｍ以上的大尺寸硅片背面磨削（ｂａｃｋｇｒｉｎｄｉｎｇ）大都采用基于硅片白旋转磨削原理的超精密磨削技术。

２、硅片背面磨削的工艺过程：

硅片背面磨削一般分为两步：粗磨和精磨。在粗磨阶段，采用粒度４６＃～５００＃的金刚石砂轮，轴向进给速度为１００～５００ｍｍ／ｍｉｎ，磨削深度较大，般为０．５～ｌ１ＴＩＩ＇ｆｌ。目的是迅速去除硅片背面绝大部分的多余材料（加工余量的９０％）。精磨时，加工余量几微米直至十几微米，采用粒度２０００＃～４０００＃的金刚石砂轮，轴向进给速度为０．５～１０ｍｍ／ｍｉｎ。主要是消除粗磨时形成的损伤层，达到所要求的厚度，在精磨阶段，材料以延性域模式去除，硅片表面损伤明显减小。３硅片磨削技术的原理当前主流晶圆减薄机的整体技术采用了Ｉｎ．ｆｅｅｄ磨削原理设计。为了实现晶圆的延性域磨削，提高减薄质量，通过减小砂轮轴向进给速度实现微小磨削深度，因此，要求设备的进给运动分辨率小于０．１Ｉｘｍ，进给速度１ｉｘｒｎ／ｍｉｎ。另外，为了提高减薄工艺的效率，进给系统在满足低速进给的前提下，要尽可能实现高速返回（见图２）。