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利用化学机械研磨方式，将晶圆的蚀刻面平整化为纳米级平滑度，并兼顾硅片的翘曲度、平坦度等各项指标，避免硅片在高端用途中微影蚀刻制程中遭遇到问题。
大多数薄晶圆处理是通过将晶圆与临时载体粘合，从而以与传统的较厚晶圆几乎相同的方式处理晶圆。然而，在一些应用中，由于产量、经济、工艺流程或器件性能的原因，最好没有载体来处理晶片。
对于晶圆减薄工艺做部分补充，这里主要针对的是晶圆背面减薄工艺部分。
